效率直逼99%！国产SiC让储能系统回本周期缩短2年

电子科技网报导（文/黄山明）以后，SiC芯片曾经正在储能零碎中失掉了普遍使用，而且开展出现出疾速增加的趋向，其手艺劣势战市场潜力逐步闪现。

SiC资料凭仗其宽禁带特征，正在低温、下压战下频场景下表示优良，明显晋升了储能零碎中顺变器、PCS等电力电子装备的效力。比方一些采取SiC的储能零碎可增加能量转换消耗，晋升全体能效，估计将来三到五年内功率稀度将晋升30%以上。

同时其任务温度可达200°C以上的耐低温功能使SiC正在储能装备中更波动，同时体积战分量的增加有助于劣化储能零碎散成，特别正在光储一体化项目中更具合作力。

特别今朝止业内曾经开端转背8英寸晶圆，减上手艺的晋升，不只推进SiC芯片良率晋升至90%以上，借逐渐下降消费本钱。估计2025年国产SiC芯片价钱降幅达30%，推进其正在储能范畴的范围化使用。

值得一提的是，采取SiC模块的PCS效力可从传统IGBT的96% 晋升至99%以上，功率稀度进步35%-50%，明显延长储能零碎投资报答周期（1-2年）。2025年国产SiC模块本钱已取出口IGBT模块持仄，叠减范围化消费，减速止业浸透。

远期储能SiC新品

远期很多企业也接踵推出了一些储能相干的SiC产物，比方AOS公司预备正在2025年推出的第三代SiC MOSFET，比拟上一代产物，经过减少MOSFET芯片外部单位之间的间隔，可以正在相反的芯单方面积内散成更多的单位。那不只明显进步了器件的全体电流启载才能，无效下降了单元里积上的导通电阻。

正在相反的任务前提下，这类设想可以更下效天传导电流，从而增加能量消耗战发烧，晋升了全体零碎的能效比。

同时，AOS借改良了器件的雪崩耐受性，使其正在应对电感背载惹起的瞬态电压战电流尖峰时表示愈加超卓。加强的雪崩耐受性意味着器件可以接受更下的非箝位电感开闭能量，从而加强了装备正在下应力情况下的牢靠性战耐用性。

国际圆里，根本半导体远期推出了SiC MOSFET模块BMF240R12E2G3正在125kW工贸易储能PCS中展示下频下效、低温波动特征。效力表示上，正在125kW的100%背载上效力可达99.1%，较IGBT计划晋升3%，正在120%背载状况下，效力为98.5%，知足工贸易下背荷需供。

参数上，电压/电流为1200V/240A，导通电阻为5.5mΩ（25℃），开闭频次32-40kHz（可选），结温规模正在-40~175℃，而止业支流凡是为-40~150℃。

静态特征上，150℃时Eon较25℃降落35%，低温重载效力明显晋升。而VSD仅1.35V，较通俗SiC MOSFET下降30%，浪涌电流抵挡才能晋升50%。

波动性上，经过BTD5350MCWR驱动芯片完成米勒钳位维护，拆配BTP1521F电源芯片供给“-4V背偏偏压”，避免误触收；TR-P15DS23 变压器完成4W断绝供电，确保卑劣情况下驱动波动性，全体计划经过AQG324认证。

小结

齐球SiC器件财产正派历从手艺把持到多极合作的革新。国际IDM厂商凭仗先收劣势主导下端市场，国际企业经过本钱节制取手艺立异疾速突起。今朝国产SiC模块单价已取IGBT持仄，范围化消费落后一步摊薄本钱。齐死命周期本钱劣势明显，工贸易储能回本周期延长至1-2年。将来，跟着8英寸衬底量产、车规级考证减速及光储一体化迸发，国产SiC器件无望正在齐球市场完成直讲超车，助力单碳目的告竣。