引言碳化硅( SiC)MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展,开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高,设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路,确保对MOSFET的安全控制,防···
以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例,这是一款采用 PolarPAK® 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少?阻断电压 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大电压。···